<button id="ckwem"></button>
碳化硅單晶材料 碳化硅功率器件 碳化硅功率模塊 檢測與代工
資料下載 產品選型 營銷網絡
公司新聞 行業新聞
公司介紹 招賢納士 聯系我們
碳化硅肖特基二極管 碳化硅場效應晶體管
全碳化硅功率模塊 混合碳化硅功率模塊
電話：010-56993369
郵箱：[email protected]
產品規格：6英寸
產品類型：導電型單晶襯底
產品優勢：禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩定性好、電子飽和漂移速度高等優點。
應用領域：主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。
產品規格：4-6英寸
產品類型：同質外延片
產品特點：禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、高熱導率、高電子飽和和遷移速度等。
額定電壓：650-1200V
額定電流：2-60A
產品特點：碳化硅肖特基二極管相比普通的PN結勢壘二極管具有導通壓降低，開關速度快、0反向恢復、耐高溫的優點。
應用領域：碳化硅肖特基二極管可應用于光伏逆變器、高頻電源、高性能服務器電源、充電樁充電模塊等領域。
額定電流：30-100A
產品特點：碳化硅場效應晶體管（SiC MOSFET）具有更低的導通電阻，更高的工作頻率，開關損耗大幅降低，SiC MOSFET與Si IGBT器件相比可降低開關損耗70%，高溫特性好、穩定性高。
應用領域：SiC MOSFET可應用于開關電源、光伏逆變器、充電樁充電模塊、新能源汽車OBC、DC/DC等。
額定電流：100-600A
產品特點：全碳化硅功率模塊與傳統硅基IGBT相比，全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率，開關損耗可降低70%以上。
應用領域：全碳化硅功率模塊可應用于軌道交通逆變牽引、新能源汽車電機控制器、光伏逆變器、ups電源、智能電網等。
額定電壓：1200V
額定電流：300A、450A、600A
產品特點：混合碳化硅功率模塊與傳統硅模塊相比，碳化硅混合模塊具有更高的功率密度、更低的開關損耗以及更快的工作頻率。
應用領域：混合碳化硅功率模塊可應用于光伏發電、新能源汽車、軌道交通、不間斷電源、智能電網等。
地址：北京經濟技術開發區通惠干渠路17號院 郵編：100176 電話：010-56993369 郵箱：[email protected]
